Установка для выращивания монокристаллов полуизолирующего 4Н-SiC

В 2019 году в АО «Светлана-Электронприбор» заканчивается Комплексный проект по разработке и организации серийного производства производственной установки и базовой технологии выращивания полуизолирующих кристаллов карбида кремния (4H-SiC) диаметром 4 дюйма, предназначенных для изготовления компонентной базы для СВЧ электроники.

По окончании разработки будет возможность заказа разработанной в данном комплексном проекте продукции:

  • Установка для выращивания монокристаллов полуизолирующего 4Н-SiC диаметром 100 мм (4 дюйма) ДФКЛ.471162.001 
  • Монокристалл полуизолирующего 4H-SiC диаметром 100 мм (4 дюйма) ДФКЛ.431432.071
  • Подложка полуизолирующего 4Н-SiC диаметром 100 мм (4 дюйма) ДФКЛ.431432.063

С декабря 2019 года работает сервисная служба технической поддержки для потребителей установки для выращивания монокристаллов полуизолирующего 4Н-SiC диаметром 100 мм.
Вы можете обращаться по техническим вопросам по тел. 8(812)385-05-11 (доб.7891) и по эл. почте ivbn@svetlana-ep.ru

Больше новостей о жизни завода "Светлана" на странице в